4.1进样系统: 配置带半导体制冷雾化室，在仪器所处环境控温变动±5℃范围内，其软件监控制冷温度波动不超过0.2℃
4.2气路控制系：仪器主机的气路部分均采用高精度的质量流量计控制（包括等离子部分气路和碰撞反应池部分气路）； 4.3真空系统：要求快速三级高真空系统，从常规日常待机（分子涡轮泵停止）开始抽至可工作的真空度的时间小于30分钟。
4.4 ICP离子源：频率27.12MHz或40.68MHz或34MHz，固定晶体稳频RF发生器， ICP易点火，不易因为样品基体变化而灭火。适用于常规99.999%以上氩气。
4.5必须具备普通模式和He气碰撞反应模式。
4.6抗质谱和非质谱干扰能力：能有效降低高背景基体干扰和质谱谱线干扰，尤其对Mg、K、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Ca、Ge、Al、Ti、V、Zn、As、Se、Cr等元素的干扰，在消除干扰时分析离子的灵敏度不降低。 4.7质量数范围包含：3～258amu；
4.8碰撞反应池杆数不予限定，质量分析器为四极杆。脉冲、模拟双模式可以自动切换
4.9质量轴稳定性：Li(7)，Y(89)，Tl(205)、Mg（24）, In（115）
