300/样品
能量分辨率优于0.43ev,使用微聚焦单色化X射线源,束斑尺寸900-20um。
利用X-射线对固体激发,通过对产生的二次电子能量分布进行分析,从而实现位于表面的元素组成进行半定量的分析。通过对样品表面的可控离子刻蚀,可以进一步获得厚度方向上的元素分布信息,从而实现对样品的深度剖析。这对于确定催化剂活性中心、半导体界面处的载流子复合中心及实现相应的缺陷钝化具有不可替代的作用。
XPS全谱,精细谱扫描,深度剖析,紫外光电子能谱
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